| 参数 | 符号 | 含义 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Nominal Frequency标称频率 | FL | 晶振基准输出频率 | MHz/KHz |
| Load Capacitance负载电容 | CL | 晶振正常起振所需外接负载电容，需和电路设计匹配 | pF |
| Frequency Tolerance 频率容差 | ΔF/F | 常温下实际频率与标称频率的偏差，数值越小精度越高 | ppm |
| Equivalent Series Resistance串联电阻 | Rs | 晶振等效串联内阻，阻值越小驱动性能越好，影响起振能力 | kΩ |
| Motional Capacitance动态电容 | C1 | 石英晶体等效动态电容，晶振固有参数，影响振荡特性 | fF |
| Shunt Capacance 静态电容 | Co | 晶振引脚间寄生静态电容，为封装固有参数 | pF |
| Drive level 最大激励功率 | P | 晶振允许的最大驱动功率，功率过大会损坏晶振、加剧频率偏移 | uW |
| Insulation Resistance 最小绝缘电阻 | R | 引脚间绝缘能力，电阻越大漏电越小，电气性能越稳定 | MΩ |
| Aging 老化率 | ΔF/F | 产品使用第一年，频率随时间的最大偏移量，体现长期稳定性 | ppm |
| Turnover temperature 拐点温度 | To | 晶振频率 - 温度曲线的最佳温度点，此温度下频率最稳定，偏差最小 | ℃ |
| Pulling Sensitivity牵引灵敏度 | Ts | 负载电容每变化 1pF，频率偏移量，反映电容对频率的影响程度 | ppm/pF |
| Motional Inductance动态电感 | L1 | 晶振等效电感参数，决定谐振特性 | mH |
| Frequency Drift After Reflow回流后频漂 | 经过 x 次(具体)贴片回流焊后，频率偏移量，体现耐焊接性能 | ppm | |
| Frequency vs. temperature 频率温度系数 | ΔF/F₀ | 温度变化引发的频率偏移规律，二次曲线特性，表征宽温下频率稳定性 | ppm |
另外规格书也会标注Oscillation Mode，Oscillation Mode振荡模式是晶体谐振器在电路中工作时，利用其机械振动特性产生的不同谐振频率和振动方式。晶体本身是一种压电材料，施加电场时会产生机械变形，这种机械振动有特定的固有频率。振荡模式分为基频模式和泛音模式。
Fundamental Mode基频模式：晶体在最低固有频率下振动，通常为 kHz 到 30-40 MHz
Overtone Mode / Harmonic Mode泛音模式：晶体在基频的奇数倍频率下振动（3次、5次、7次泛音），30 MHz 到 200+ MHz
常见封装
