简介一份系统讲解量子芯片封装中三维集成微波谐振腔串扰抑制与热管理设计的431页技术文档面向量子计算硬件研发、封装设计、电磁仿真及热分析领域的工程师与研究人员。内容按50个章节展开从材料选型、谐振腔布局、耦合效率优化到串扰物理机制、电磁屏蔽、接地网络与阻抗匹配协同设计再到低温环境应对及微通道冷却、热管理方案形成较完整的技术路径。全文目录可跳转并支持书签大纲快速定位便于按需查阅。资源为单个PDF文件包体13.1MB文字、图表、目录显示正常适合作为三维集成封装设计参考与学习资料。已有58人学习下载。 我拿到这份《量子芯片封装设计方案详解三维集成微波谐振腔的串扰抑制与热管理技术实现路径》的时候第一反应是量子计算硬件这个圈子终于有人把封装这层窗户纸捅破了。很多人盯着量子比特数、门保真度、退相干时间这些指标却忽略了一个现实——量子芯片再强封装跟不上一切都是白搭。431页的体量看下来核心其实围绕两件事怎么让微波信号在芯片内部不串味怎么把极低温环境下的热量管理明白。这篇文章我就站在一位硬件工程师的视角把这份方案里最有含金量的部分拆开揉碎讲清楚三维集成微波谐振腔的设计逻辑、串扰抑制的实施路径、热管理的工程化手段以及整个方案从仿真到流片落地中容易踩的坑。无论是做量子芯片的还是搞先进封装、射频微波系统的人这里面有大量可以借鉴的思路。1. 设计目标与整体思路拆解先搞清楚量子芯片封装到底在解什么题1.1 核心矛盾量子芯片封装的三大底层约束量子芯片封装和传统芯片封装有本质区别。传统芯片封装追求的是信号完整性、电源完整性、散热能力但量子芯片在极低温毫开尔文量级环境下工作信号是微波频段的微弱量子态信号比特之间既要物理隔离又要逻辑互联这给封装设计带来了三个非常苛刻的约束。第一个约束是信号隔离。超导量子比特的工作频率通常在4到8GHz的微波频段单个比特的操控信号功率极低一般在-30dBm甚至更低。而读出信号、耦合信号、控制信号大量布线在芯片周围任何一根线的杂散辐射都可能耦合到相邻比特上导致比特间的串扰。更麻烦的是量子比特之间是通过谐振腔耦合的谐振腔本身就是微波结构它既承担了比特间的相互作用也成了串扰传播的天然通道。如何在利用谐振腔实现耦合的同时抑制不必要的串扰这是方案中最核心的设计难点。第二个约束是热管理。量子芯片工作在稀释制冷机的极低温平台上典型温度在10至20毫开尔文。在这个温度下热导率、比热容、接触热阻的表现和常温完全不同。任何漏热都会直接抬高芯片温度导致超导材料的能隙变小、准粒子激增、退相干时间急剧恶化。但芯片工作又必须输入微波功率还要连接大量的射频线缆和直流偏置线这些线缆本身就是漏热通道。在这样一个近乎绝热的环境里做热管理难度远超常规的风冷和水冷。第三个约束是互连可靠性。量子芯片需要与外部控制电路实现大规模互连但极低温环境下材料热膨胀系数不匹配、金属间化合物脆化、焊接应力累积等问题都会放大。三维集成方案本身就是为了提高互连密度和缩短互连距离但也会带来新的机械和热学挑战。这三个约束互相关联、互相制约——为了抑制串扰你要加强屏蔽屏蔽会引入额外热容为了提高集成度你要做三维堆叠堆叠会恶化散热路径。设计的过程本质上就是在这些矛盾中找到平衡点。1.2 为什么必须走三维集成这条路二维平面封装在多比特量子芯片上已经捉襟见肘。量子比特数量上去之后控制线、读出线、耦合线全都挤在芯片边缘布线拥堵、交叉耦合、信号衰减的问题接踵而至。如果继续在平面内扩展芯片面积会急剧膨胀良率下降而且比特间距变大导致耦合强度变弱直接约束了芯片的量子计算能力。三维集成的思路是把原来摊在一层的结构“折”成立体结构。具体来看有三种典型收益其一信号走线从二维平面竞争变成三维分层分流不同功能的信号层之间自然实现了空间隔离其二芯片之间通过硅通孔或倒装焊直接垂直互连互连路径大幅缩短减少传输损耗和寄生参数其三屏蔽结构可以在垂直方向做成分区的腔体把每个比特或者每组比特关进独立的“小房间”串扰抑制能力比平面屏蔽高一个量级。这份方案的厉害之处在于没有把三维集成当成一个概念来谈而是落到工艺层——芯片怎么减薄、通孔怎么刻蚀、金属怎么填充、层间怎么键合、腔体怎么密封每一步都有对应的工艺选择和失效分析。我自己的经验是三维集成方案失败的概率和中间的工艺步骤数量成正比方案里对每一步良率的预估和补偿机制是判断这份设计是否可落地的关键。1.3 方案总体框架与指标拆解一份优秀的封装设计方案必然是从系统指标向下逐层分解的。量子芯片封装的顶层指标一般来说有三个单比特门保真度、两比特门保真度、量子比特相干时间。封装设计需要把它们拆解成可仿真、可验证的物理量。举个例子两比特门保真度与两条微波通道间的隔离度直接相关。如果要达到99.9%以上的两比特门保真度隔离度通常需要做到-60dB以下。方案里围绕这个目标去设计屏蔽结构、接地策略和布线规则。再看相干时间封装材料中的介电损耗是主要限制因素之一。方案里对衬底材料、绝缘介质、粘合材料都做了介电损耗角正切的筛选要求关键微波路径上的材料品质因数达到百万级这比常规射频封装的材料要求高了好几个数量级。有了清晰的指标分解设计的每一环节就都有了衡量标准谐振腔的几何尺寸决定了频率和耦合强度屏蔽墙的间距决定了隔离度上限材料的损耗角正切决定了相干时间天花板。整份方案本质上是从指标到结构、从材料到工艺的层层映射。2. 三维集成微波谐振腔核心结构设计与实现路径2.1 谐振腔的物理功能与设计边界在超导量子计算体系里微波谐振腔承担的角色很特殊——它既是量子比特状态的读取探针也是比特间相互作用的媒介。以传输线谐振器为例它本质上是一段两端通过电容耦合到外界环境的超导传输线当微波频率匹配它的谐振频率时腔体内会建立起驻波场而这个驻波场对量子比特色散频移的影响便构成了读取信号。设计谐振腔第一件事是确定频率。量子比特频率一般设计在4到6GHz读出谐振腔频率要避开比特频率通常落在6到7GHz区间这样既能通过色散耦合读取比特状态又不会因为直接共振干扰比特。频率确定了物理尺寸就由有效介电常数决定。传统二维平面设计里谐振腔长度大约是半波长在硅衬底上做共面波导结构时这个长度在毫米量级。到了三维集成里需要把这段等效传输线折进多层结构中通过层间通孔和金属布线的组合来实现谐振。第二件事是控制损耗。谐振腔的品质因数Q值决定了读出保真度和比特相干时间的上限。损耗来源主要有三个方面介电损耗、金属表面损耗和辐射损耗。方案里对硅衬底的选择做了详细对比高阻硅在低温下的微波损耗角正切可以做到10的负6次方量级是超导量子芯片衬底的主流方案。金属材料则通常选择铝或铌铝的临界温度约1.2K在稀释制冷机的基温下处于超导态表面电阻极低铌的临界温度约9.2K抗磁场能力更强但成膜和刻蚀工艺更难控制。表面处理工艺同样关键包括化学机械抛光的平整度、表面氧化层的去除、金属沉积后的退火条件每一步都会影响表面的准粒子损耗和双能级系统缺陷密度。第三件事是控制边界条件。三维集成中的谐振腔周围不再是平坦的介质而是有硅通孔、金属屏蔽墙、层间介质等多种结构。这些边界偏离理想共面波导模型后会引起谐振频率偏移和阻抗失配。方案里大量采用了全波电磁仿真来标定不同结构的等效电路参数把边界效应提前吃透而不是等流片回来再调试。2.2 三维集成架构从芯片堆叠到信号垂直传输三维集成的物理架构方案可以有多种选择这份方案采用的是“多芯片堆叠硅转接板倒装焊接”的组合路线。核心量子芯片放在最底层微波谐振腔和屏蔽结构集成在上方的转接板中控制芯片通过硅通孔连接到背面再通过倒装焊方式与外部封装基板互连。这种架构有一个明显的好处——核心芯片可以保持相对简单的正面结构减少工艺流程对超导量子比特的损伤。量子比特本身对工艺损伤极其敏感哪怕是一次额外的光刻、一次等离子体刻蚀都可能在约瑟夫森结附近引入缺陷。把谐振腔做在转接板上让量子芯片的正面保持“干净”这在工艺上更安全。信号垂直传输由硅通孔承担。量子芯片上的信号点通过微凸点连接到转接板再通过硅通孔穿到背面背面焊球再连接到封装基板。这条垂直通路的射频性能直接影响信号质量。硅通孔的寄生电容、电感、电阻都要被精确建模方案里给出了一组典型的优化目标寄生电容控制在50fF以下插入损耗在10GHz以内小于0.1dB接地通孔阵列的间距要小于信号波长的十分之一才能在地平面中形成有效的“屏蔽篱笆”阻断平行板模式的传播。三维集成的工艺顺序也很有讲究。先做硅通孔还是先做谐振腔减薄放在哪一步都和最终良率直接相关。方案推荐先完成正面谐振腔和硅通孔的刻蚀填充再进行晶圆减薄露出通孔最后做背面布线和凸点。这样能避免减薄后的碎片应力影响正面精细结构。2.3 层间互连与材料体系的工艺控制层间互连在三维集成方案里是最容易出现可靠性问题的环节。量子芯片工作温度只有十几毫开尔文但这个温度范围里不同材料的热膨胀系数差异已经足以产生明显的应力。铜的热膨胀系数约17ppm/K硅只有2.6ppm/K如果不做缓冲设计反复温度循环后金属层可能开裂、分层甚至把硅衬底也撕裂。方案中在通孔填充材料的选择上做了谨慎权衡。铜的导电性好但热膨胀系数与硅差异大钨的热膨胀系数和硅更接近但电阻率偏高。对微波信号来说电阻率偏高意味着损耗增加。最终方案采用了铜填充加钽阻挡层的组合利用钽层吸收界面应力同时防止铜向硅扩散污染器件层。层间键合选择了混合键合工艺在室温条件下通过金属焊盘和介质层的表面活化实现直接键合避免高温工艺对已完成超导结构的损伤。微波谐振腔区域的材料控制需要更精细的隔离。量子比特敏感范围内的介质层和钝化层选用了品质因数很低的氮化硅或氧化铪体系但这些材料在常规半导体工艺里用得并不多供应商的成熟度、批次稳定性都需要额外验证。我在实际项目中遇到过介质材料批次不一致导致微波损耗漂移的问题这种坑在选型阶段就要通过完整的低温表征流程来规避。每一批介质材料都应该预先做成测试结构在低温下测准品质因数再决定是否放行量产。3. 串扰抑制技术从机理到实施的完整防御体系3.1 串扰来源的全面分解串扰是量子芯片封装里最阴险的问题。它不会直接让你芯片完全失效但会持续地降低门保真度而且很难通过算法层面完全补偿。封装设计要解决的串扰主要有三个来源。通道间的电磁耦合是最直接的串扰来源。微波信号在传输过程中会产生电场和磁场相邻的走线、通孔、焊盘、谐振腔都会通过分布电容和互电感耦合到信号。这种耦合的强度随距离增加而衰减但在量子芯片这种高密度互连场景下信号线间距往往只有几百微米串扰幅度不可小觑。衬底中的寄生模式传播是更隐蔽的串扰路径。三维集成结构中有大量的硅通孔、金属填充和介质层这些结构在特定频率下会形成平行板波导或者衬底模式能量从一个信号区域“漏”到另一个区域。这种模式传播的有效路径可以跨越整个芯片不受单个信号线间距的控制必须通过系统级的屏蔽架构来阻断。公共阻抗耦合是第三个串扰源。多个信号通道共用的接地路径上存在寄生电感当一个通道的电流变化时在公共电感上产生的电压降会串扰到其他通道。在极低温环境下接地电感还和超导材料的动态电感混在一起让问题更加复杂。方案中对每个信号通道都设计了独立的接地返回路径从根本上消除公共阻抗。3.2 屏蔽结构与接地策略把每个比特关进独立小房间针对上述串扰源方案采用的核心策略是“分区隔离”。把每个量子比特或者每一组量子比特封装在独立的三维微波屏蔽腔内腔体由金属屏蔽墙和上下接地层共同围合而成。这个思路和射频模块设计里的屏蔽罩类似但在极低温三维场景里做了几处关键的强化设计。屏蔽墙并不是简单的金属墙。在三维集成结构里屏蔽墙是由一排密集排列的接地硅通孔加上金属互连层共同构成的——通孔间距必须小于工作频率波长的二十分之一才能在电磁波看来形成连续的金属壁。对6到8GHz的微波信号来说波长在几十毫米量级按照这个约束通孔间距做到500微米甚至更小就具备明显的屏蔽效果。但这还不足以满足-60dB隔离度的要求所以方案在通孔阵列的基础上又叠加了多层金属围栏结构每一层金属布线都在屏蔽墙位置做闭合环状接地形成“笼式”屏蔽结构。腔内互连是另一个容易出问题的地方。为了读取比特信号必须从腔体内部的谐振腔引出信号经过屏蔽墙的开口到达外围的放大器和控制芯片。这个开口就是场的泄漏点。方案里采用了共面波导到微带线的过渡结构把信号线的参考地也一并引出去确保开口附近不产生地回流中断。我还注意到方案对腔体内残留模式做了专门分析——腔体尺寸如果恰好和半波长谐振频率重合即使屏蔽墙本身做得很好也会在腔内产生驻波耦合。因此腔体尺寸规划同样要经过电磁仿真扫描避免在目标频段出现寄生谐振。3.3 布局规范与信号完整性设计规则布局规范是串扰抑制里成本最低也最容易被忽略的手段。这份方案给出的布局规则非常具体每一条都有仿真数据支撑这也是它比一般的设计文档更实用的地方。第一敏感信号线间距。不同比特的控制线和读出线之间的最小平行长度和间距有明确关系。垂直于电流方向的信号线交叉是最优布局平行走线的间距必须超过线宽的三倍以上并且中间要设置接地隔离线。第二分层分工明确。控制线走在较低层读出线走在较高层谐振腔和比特结构在核心区域“专属”使用一层不同功能信号之间避免了直接交叠。第三去耦电容的布置。每个谐振腔馈线入口都配置了片上去耦电容电容的谐振频率必须精确落在信号频带之外否则去耦结构本身会变成额外的串扰通路。接地策略是整个串扰防御体系里最关键的部分。方案采用了多点接地和分区接地相结合的策略——每个屏蔽分区内部的地参考独自分岛通过岛边缘的密集通孔阵列连接到全局地层在射频频段保持低阻抗直流偏置信号的滤波电路则单独规划区域避免数字控制噪声通过地平面耦合到量子比特区。我见过很多封装设计在常温射频测试时指标很好一到低温就原形毕露原因就是常温下不明显的微弱接地回路在超导态下变成了量子比特退相干的利器。3.4 串扰验证与仿真方法串扰抑制做得好不好必须通过仿真和实测闭环验证。方案里的仿真策略分为三个层次。电路级仿真用等效电路模型快速评估通道间耦合趋势这个阶段的速度快适合前期的设计空间探索。电磁全波仿真用HFSS类工具精确求解三维结构的场分布把所有寄生效应的细节全部纳入模型这个阶段得到的结果可以指导关键尺寸的优化。系统级仿真则是把封装模型和量子比特模型联合起来直接评估封装串扰对量子逻辑门保真度的影响。这层仿真的计算量大但价值也最大——它把微波工程指标和量子计算性能直接关联起来消除了前端设计和后端验证之间的“翻译误差”。实测验证方面方案提到用“近邻比特通道隔离度测试芯片”来验证设计。在一片测试芯片上集成多组标准串扰测试结构通过矢量网络分析仪测量S参数把仿真和实测结果对比验证。低温下的实测还要考虑到S参数漂移的问题——不同温度下材料介电常数变化会引起谐振频率偏移这个偏移量应该在设计时就预留足够的频率裕量否则量产芯片在目标温度下可能偏离设计最佳点。4. 热管理技术极低温下的散热矛盾与解决路径4.1 极低温热预算每一微瓦都要精打细算量子芯片封装的散热和常规芯片散热可以说是两个次元的问题。常规芯片发热功率动辄几十瓦上百瓦散热目标是把温度控制在85℃以下。量子芯片自身功耗其实不高——单比特操控信号功率在皮瓦到纳瓦量级但系统的可用热预算极小。稀释制冷机在不同的温度层级提供的制冷功率差异悬殊。在4K温区可以提供几十毫瓦的制冷量在100毫K温区只有几百微瓦在20毫K基温台只剩几微瓦。所有从室温漏到基温台的热量都必须经过这个级联热沉结构吸收而每一层的制冷能力都在急剧下降。这就意味着封装设计的目标不是把热“排出”而是尽量让热留在更高的温度层级不让它漏到最冷的芯片位置。一份靠谱的热管理方案要精确到每个部件漏热多少微瓦。射频电缆从室温一路连到芯片在4K和100毫K等温度节点都要安装热沉锚点偏置线要通过多层RC滤波网络把高频噪声滤除的同时也利用金属块热容逐级吸收漏热。封装本身则需要做到“机械连通、热隔断”——用导热性能好的材料做冷指和支撑结构同时用低热导率的材料做需要绝热的连接件。4.2 封装材料的热特性选择与导热路径设计在毫开尔文温区热导率的表现和常温完全不同。铜在常温下热导率约400W/(m·K)但在20毫K时因为有杂质散射和电子-声子失配热导率可能掉到同尺寸蓝宝石以下。相反蓝宝石在极低温下因为有缺陷和表面态作用热导率和常温下变化不大甚至在特定温度下还升高了。这个反直觉的现象正是极低温热管理设计必须建立详细的材料数据库的原因。方案中用高导热、低比热的蓝宝石或氧化铝陶瓷件作为芯片到制冷机基温台之间的主导热路径。之所以不用铜做这一段是因为铜在极低温下的电子比热依然较高温度波动时储热效应明显不利于温度稳定。导热路径的设计也很讲究芯片通过金丝绑定到蓝宝石绝缘过渡片再通过压接触点连接到制冷机的基温台每个连接界面的接触热阻都要经过专门的表面处理和压紧力控制。对于被加热的对象比如低噪声放大器和一些主动驱动电路方案采用热隔离和主动导热的结合策略——把它们安装在一个独立的小热台上热台通过高导热的柔性编织带连接到更高温度层级避免把热量直接灌进量子比特区。4.3 热量来源分析与动态热管理封装设计里需要对整个系统的热量来源逐一排查建立热预算表。主要的热源包括微波输入信号在传输线上的介电损耗产生的热量、偏置线上的焦耳热、放大器和移相器等有源器件的功耗、来自上层热辐射的漏热以及机械振动转化为的热量。方案里对每个热源都设定了预算上限比如微波输入信号产生的总热量被严格限制在1微瓦以下这直接约束了微波功率的上限和传输线的损耗指标。动态热管理是这份方案里值得一提的思路不仅做了静态热预算还针对量子计算的实际运行模式设计了动态功耗管理。比特处于空闲状态时相关微波通道进入低功耗待机模式大幅降低输入功率和热量执行量子门操作时脉冲功率短暂升高通过高导热路径快速将热量传递到制冷机。这个策略的关键在于热量瞬态响应和时间常数的匹配——如果导热路径的热时间常数太长脉冲期间的瞬间温升依然会干扰比特性能。方案用了有限元热仿真来评估不同导热结构的热时间常数确保在微秒级的量子门时间尺度内瞬态温升不超过1毫K。4.4 热-机械耦合与可靠性设计极低温环境对机械结构的影响同样不可小觑。多轮温度循环之后不同材料间的热膨胀失配可能导致焊点开裂、键合线脱落、基板翘曲。这部分属于封装可靠性的基础问题但在量子领域里被格外放大——因为任何微小的机械运动都会在超导电路中产生应力应力变化会引起比特频率的抖动直接降低相干时间。方案里给出了几个具体的可靠性设计手段。在材料选型上尽量选择热膨胀系数接近芯片的材料做基板载体比如硅基板或碳化硅基板避免芯片和基板之间产生大的应力错配。在结构设计上采用柔性互连来吸收热膨胀差异——金丝键合本身就具备一定的柔性在温度循环时可以通过自身的形变吸收应力而大面积的焊接区域则需要做应力释放结构比如在焊盘周围刻蚀应力释放槽防止应力在焊点边缘集中。在工艺控制上对键合的温度曲线、压焊力的监控要格外严格避免在制造阶段就埋下多余的残余应力。5. 工程落地中的常见问题与排查技巧5.1 设计到流片的典型问题速查整个设计流程走下来有几类问题反复出现值得在设计评审前逐一自查。我整理了一张速查表问题类型典型表现排查手段规避策略谐振频率偏移实测谐振频率偏离设计值超过目标容差低温S参数测试扫描全温区设计时预留频率调谐结构校准工艺偏差隔离度不达标近邻通道串扰功率高于预期分步排查屏蔽墙完整性和接地点质量接地通孔阵列加密屏蔽墙闭合检查界面接触热阻超限芯片温度高于设计值相干时间恶化红外热成像或低温温度计阵列监测表面镀金工艺压紧力标定焊点开裂或分层温度循环后电连接开路或间歇性失效扫描声学显微镜检查界面焊盘应力释放结构热膨胀系数匹配选材介质损耗异常品质因数明显低于材料标称值低温下谐振腔单独表征批次来料低温抽检工艺前后对比测试腔内寄生模式特定频率出现异常吸收峰全波电磁仿真扫描腔体尺寸腔体尺寸避开半波长谐振点加吸收材料5.2 调试阶段的几个关键心得调试量子芯片封装比普通微波模块难在“无法直观看到信号”。传输线有问题不再像示波器上看到反射波形那么直观只能通过间接的比特读出信号或者谐振腔透射系数来判断。这里分享几个实操中的经验和技巧。第一必须做“冷热对比”测试。同一封装结构在常温和低温下的S参数差异很大这种差异既来自材料介电常数变化也来自超导转变带来的表面阻抗突变。如果只做常温调试到低温实测大概率会全方位“翻车”。我习惯的做法是先在常温下把封装的所有微波通道透过系数校准到一个基准水平再转移到低温系统复测这样能快速识别出受温度影响最大的薄弱环节。第二善用“哑芯片”做系统级排查。在没有量子芯片的情况下用一片带有相同封装尺寸和引脚定义的硅片替代核心芯片专门用来验证封装本身的微波性能和热性能。这样可以做到封装问题和芯片问题完全解耦大大缩短整体调试周期。第三对测量系统的校准至关重要。量子芯片的微波测量需要对矢量网络分析仪做全双端口校准校准件的温度要和被测件一致。常温校准数据直接套用到低温测量中会引入不可接受的系统误差这一点在读取微弱谐振信号时尤其致命。5.3 从方案到产品化的一点补充思考这份方案能写到431页说明背后的工程团队已经把问题挖得很深。但真正从样片走向量产还有一些方案里可能涵盖不够充分的方向值得补全。一是关于自动化测试产线的设计。量子芯片封装每颗都要做低温全检测试效率直接决定产能上限。合理思路是设计专门的低温并行测试夹具一次能同时测试多颗封装好的芯片测试项要精简到只测关键参数比如谐振频率、插入损耗、隔离度和热阻把完整表征放在抽检环节做。二是关于成本控制。三维集成的每一步工艺都可能比二维方案贵一个数量级材料选择上要寻找性能达标的国产替代方案工艺步骤上要在设计阶段就尽量做减法。三是关于供应链稳定性。介电材料、特殊合金、低温胶水这些材料的供应渠道就应该提前锁定最好有两家以上的合格供应商。结尾一点实际经验分享在看过大量量子封装失败的案例之后我的体感是设计文档再厚也不如一颗实测芯片来得真实。这份方案最大的价值不在于它给出了某一种具体结构而在于它展示了一套完整的设计闭环——从系统指标分解到三维结构设计到串扰与热管理的协同优化再到测试验证的反馈迭代。如果让我给正在做类似项目的工程师一个建议那就是一定要在设计阶段就建立多物理场联合仿真的能力把电磁、热、力学的边界条件放在一个模型里统一考量。量子芯片封装没有“单点最优”的解只有“系统妥协”之后的平衡。最后再分享一个小技巧在低温测试的初始阶段故意把制冷机温度调高几十毫K做一次基准扫描再降温复测两组数据对比能帮你快速定位哪些失效是温度主导、哪些是工艺缺陷主导这招在排查未知问题的时候非常管用。量子封装这条路还很新每一个成功的封装方案都是整个量子计算产业往前走的一个台阶。本文还有配套的精品资源点击获取